沟道长度调制系数一般多大

    沟道长度调制系数一般在0.05~0.2Ⅴ。沟道长度调制效应是指MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后，若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使Id增大的效应。以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至Vgd=VT时，由于栅漏之间电压差降低、漏端附近反型层消失，称为沟道夹断。若继续增大Vds，夹断点将向源端移动，故有效沟道长度减小，称为沟道调制效应。